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問25

フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。

○正解
×不正解

高速に書換えができ,CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。

紫外線で全内容の消去ができる。

周期的にデータの再書込みが必要である。

ブロック単位で電気的に消去できる。

解説

高速に書換えができ,CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。

SRAMに関する記述です。

 

紫外線で全内容の消去ができる。

UV-EPROMに関する記述です。

 

周期的にデータの再書込みが必要である。

DRAMに関する記述です。

 

ブロック単位で電気的に消去できる。

正解です。

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